类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ
　　栅极电荷（QG）：15nC
　　漏极电荷（QOSS）：32nC
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　栅极驱动电压：5V

GW5BMF50K04具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，该器件采用GaN技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和极低的寄生电容，从而显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了系统的整体效率。此外，该晶体管的高速开关能力使其适用于高频率的电力电子变换器，从而减少了外部滤波器和磁性元件的体积和重量，提高了系统的功率密度。
　　其次，该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达500V，适合用于高电压电源系统。其栅极驱动电压为5V，兼容标准的栅极驱动器，简化了驱动电路的设计。此外，GW5BMF50K04具备良好的热性能，其表面贴装封装形式有助于优化散热设计，提高系统的可靠性和稳定性。
　　再者，该晶体管具有极低的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），从而提高系统的稳定性和抗干扰能力。该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适用于高可靠性要求的应用场景。

GW5BMF50K04广泛应用于高效能电力电子系统中，特别是在需要高频率、高效率和高功率密度的场合。其典型应用包括服务器电源、电信整流器、高频DC-DC转换器、光伏逆变器、电动汽车充电器以及无线电源传输系统。由于其高速开关特性，该晶体管可用于构建谐振变换器、LLC转换器和有源钳位拓扑结构，以进一步提升系统的效率和动态响应能力。
　　此外，该器件还可用于高功率密度的AC-DC电源转换器，如数据中心的电源供应单元（PSU），以满足高效率和小型化的需求。在可再生能源领域，GW5BMF50K04可用于太阳能逆变器和储能系统，以提高能量转换效率并降低系统损耗。在工业自动化和电机控制应用中，该晶体管也可用于高频功率放大器和电机驱动电路。

GS66508T, EPC2045, SiC MOSFET 650V/60A