容量：64K x 16位
　　访问时间：12ns
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　I/O类型：异步
　　封装尺寸：54引脚

GVT7364A16ATS-12TR 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备多项优异特性。其12ns的访问时间使其适用于高速数据处理环境，能够满足高性能系统对低延迟存储器的需求。该芯片采用3.3V电源供电，相较于传统5V器件，功耗更低，有助于提高系统的能效表现。同时，其TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合高密度电路设计。-40°C至+85°C的宽工作温度范围确保了其在工业级应用中的稳定性和可靠性，适用于各种恶劣环境条件下的运行。此外，该SRAM芯片支持异步操作模式，能够灵活地与多种主控设备进行接口，提高系统的兼容性和设计自由度。
　　GVT7364A16ATS-12TR 的内部存储结构为64K x 16位，意味着它具有1MB的存储容量（16位宽度），适用于需要较大缓存的应用场景，如数据缓冲、图像处理、网络路由等。其高速读写能力可以显著提升系统响应速度，减少数据等待时间。该芯片还具有良好的抗干扰能力，能够在高噪声环境下保持数据的完整性。GSI Technology 在SRAM设计方面拥有丰富的经验，GVT7364A16ATS-12TR 也继承了其高性能和高可靠性的特点，是工业和通信设备中理想的存储器选择。

GVT7364A16ATS-12TR 主要应用于对数据存取速度要求较高的系统中，如高速缓存、网络路由器、交换机、测试设备、工业控制设备以及嵌入式系统。由于其低功耗与宽温特性，也非常适合在需要长时间稳定运行的工业和通信设备中使用。

CY7C1364B-12BZC、IDT71V416S12PFG、IS61LV25616AL-12B4I、A61LV06416C12F1G