容量：128K x 8位
　　电源电压：3.3V
　　最大存取时间：10ns
　　封装类型：52引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：2V
　　最大工作电流：180mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大值）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据输出类型：三态缓冲输出

GVT72128A8J-10具有多项先进的性能特点，包括高速数据存取、低功耗和高可靠性。其10ns的存取时间确保了在高频操作下的稳定性，适合高速缓存和实时系统应用。该芯片的CMOS制造工艺不仅降低了功耗，还提高了抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。此外，GVT72128A8J-10提供三态缓冲输出，允许直接连接到处理器总线而无需额外的缓冲器，简化了系统设计。其数据保持电压为2V，可在低功耗模式下保持数据完整性，延长系统待机时间。
　　这款SRAM芯片的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于工业环境下的严苛条件。封装形式为52引脚TSOP，节省空间并便于在紧凑型设备中安装。GVT72128A8J-10的设计符合RoHS标准，确保环保和可持续性。

GVT72128A8J-10广泛应用于需要高性能存储解决方案的领域。常见应用包括工业自动化设备、网络基础设施设备、通信系统、测试测量仪器以及汽车电子控制单元（ECU）。在嵌入式系统中，它可作为高速缓存或主存储器，用于临时存储程序代码和数据。此外，GVT72128A8J-10也适用于消费类电子产品，如高性能游戏机和智能家电，提供快速、可靠的数据处理能力。

AS7C3128A8J-10BINF, CY62128EVLL-10ZS, IDT71V128SA8J-10B