GVT7164B19C-9 是一款由IDT(Integrated Device Technology,现为Renesas的一部分)生产的高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该器件属于高速SRAM兼容的SDRAM芯片,适用于需要高带宽数据传输的应用。GVT7164B19C-9的容量为64MB,组织形式为1M x 64位,采用标准的CMOS工艺制造,工作电压为3.3V,具有优异的电气性能和稳定性。其设计目标是满足高性能通信、网络设备和工业控制系统等对数据处理速度和可靠性的严格要求。
类型:同步动态随机存取存储器(SDRAM)
容量:64MB
组织形式:1M x 64位
封装形式:TSOP
工作电压:3.3V
最大访问时间:9ns
最大频率:111MHz
数据宽度:64位
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装尺寸:54引脚
GVT7164B19C-9 是一款高性能的SDRAM芯片,具有多项显著的技术特性。首先,它支持突发模式操作,允许连续读写多个数据,从而显著提高数据吞吐率。此外,该芯片具备自动刷新和自刷新功能,能够有效降低功耗,延长存储器的使用寿命。其同步接口设计使得数据传输与系统时钟保持一致,提高了系统的稳定性和效率。GVT7164B19C-9 采用54引脚TSOP封装,适用于空间受限的高密度电路板设计。此外,其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,适用于工业和通信设备等对环境适应性要求较高的场景。芯片内部集成了多个Bank结构,支持并发操作,进一步提升了系统性能。由于其兼容性良好,GVT7164B19C-9 可以方便地集成到现有系统中,而无需对硬件进行重大修改。
GVT7164B19C-9 通常用于需要高速数据缓存和大容量存储的应用场合。例如,该芯片广泛应用于网络交换设备、路由器、通信基站等高性能嵌入式系统中,作为高速缓存或主存使用。此外,在工业控制、测试测量设备、视频处理系统、图像采集设备以及高端消费电子产品中,GVT7164B19C-9 也常被用于提升系统性能。由于其低功耗和宽温特性,该芯片也非常适合用于工业自动化和户外设备中的数据处理模块。
ISSI IS61LV25616-10B4BLI、Cypress CY7C1361BV25-10B4B、Renesas IDT71V124SA9PF-AN25、Micron MT48LC16M2B4-6A