时间：2025/12/28 19:36:45
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GTCS26-900M-R05-2 是一款高性能的射频功率晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件通常用于通信设备、工业加热、射频测试仪器以及广播设备等领域。该晶体管基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，提供了良好的热稳定性和高频性能。
工作频率：900 MHz
最大输出功率：26 W
漏极电压：50 V
栅极电压：-5 V（典型）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
增益：约20 dB
效率：典型值65%
输入驻波比（VSWR）：<2.0:1
GTCS26-900M-R05-2 具有多个突出的性能特点。首先，它采用LDMOS技术，使得器件能够在高频率下实现较高的功率输出和效率。该晶体管在900 MHz频段内具有稳定的性能，适用于多种无线通信应用。其高效率特性有助于减少系统功耗，从而提高整体能效。此外，该器件具备良好的热稳定性和耐久性，可在高温环境下长时间工作而不影响性能。GTCS26-900M-R05-2 还具有较低的输入驻波比（VSWR），确保信号传输的稳定性。其封装形式为TO-247，便于散热和安装在散热器上，适用于高功率密度设计。该晶体管的栅极电压为负偏置，有助于提高线性度和稳定性。整体来看，GTCS26-900M-R05-2 是一款适用于高要求射频应用的可靠功率晶体管。
GTCS26-900M-R05-2 被广泛应用于多种射频和高功率电子系统中。在通信领域，该晶体管常用于基站、无线接入点和射频放大器中，作为信号放大和功率输出的核心元件。由于其在900 MHz频段的良好性能，它也适用于GSM、CDMA和LTE等移动通信标准。在工业领域，GTCS26-900M-R05-2 可用于射频加热设备、等离子发生器和工业测试仪器。此外，该晶体管还被用于广播设备，如调频广播发射机，以提供高质量的音频信号放大。由于其良好的线性度和稳定性，GTCS26-900M-R05-2 也适用于需要高保真信号放大的测试和测量设备。在军事和航空航天领域，该晶体管可用于通信系统和雷达设备，提供高可靠性和稳定性能。
FQA24N50C, STP26NM50N, GTL27-900M-R05
