时间：2025/8/30 18:15:00
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GTCA28-351M-R20是一款由Vishay Siliconix制造的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该MOSFET封装为PowerPAK SO-8双封装，适合在空间受限的电路中使用。该器件在设计上优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大栅极-源极电压（VGSS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）@25°C：18A
最大导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：5.1mΩ
最大导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：7.8mΩ
最大功耗（PD）：4.7W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：PowerPAK SO-8 Dual
GTCA28-351M-R20功率MOSFET采用了Vishay的TrenchFET技术，这种技术能够实现更低的导通电阻和更高的电流密度，从而在小型封装中提供卓越的性能。其N沟道结构设计使其在高频率工作条件下具有出色的导通和开关特性。该器件的最大漏极电压为30V，最大连续漏极电流在25°C时为18A，非常适合用于中等功率的电源管理应用。
该MOSFET的导通电阻在VGS=10V时为5.1mΩ，在VGS=4.5V时为7.8mΩ，这使得它在低电压驱动条件下也能保持良好的导通性能。这种低导通电阻特性有助于降低传导损耗，提高整体效率。此外，该器件的最大栅极-源极电压为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动器配合使用。
GTCA28-351M-R20采用PowerPAK SO-8双封装，这种封装形式不仅具有较小的尺寸，便于在高密度PCB布局中使用，而且通过双侧散热设计提高了热性能，有助于提高器件的可靠性和使用寿命。该封装形式也支持表面贴装工艺，提高了制造效率和产品一致性。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度稳定性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其最大功耗为4.7W，在高负载条件下依然能够保持稳定的工作状态。这些特性使得该器件适用于各种电源管理场景，特别是在对效率和热管理有较高要求的应用中表现优异。
GTCA28-351M-R20广泛应用于各种电源管理系统和功率转换设备中。常见的应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理单元（PMU）以及电机驱动电路。该器件的高效率和小尺寸特性使其非常适合用于便携式电子设备、工业控制系统、电信设备和汽车电子系统。在这些应用中，GTCA28-351M-R20可以有效降低能量损耗，提高系统整体效率，并帮助实现紧凑的电路设计。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, AO4406
