类型：NPN型双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：1500V
　　最大集电极电流（IC）：6A
　　最大功率耗散（PD）：80W
　　频率响应（fT）：150MHz
　　电流增益（hFE）：最小50（在IC=3A, VCE=5V条件下）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247或其他大功率封装

GTB6-P1231 的关键特性之一是其高耐压能力，最大集电极-发射极电压（VCEO）高达1500V，这使其非常适用于高电压应用。此外，该晶体管的最大集电极电流为6A，能够在较大的电流负载下稳定运行。由于其高频率响应特性（fT=150MHz），GTB6-P1231 在射频放大和高速开关电路中表现出色。该器件的电流增益（hFE）在标准测试条件下最低为50，这确保了在放大电路中的稳定性能。GTB6-P1231 还具备较低的饱和电压（VCE_sat），有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该晶体管的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），适用于各种恶劣环境。其封装形式为TO-247或其他大功率封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用场景。
　　GTB6-P1231 的另一个重要特性是其优异的热稳定性和可靠性。在高功率运行条件下，晶体管的散热能力至关重要。TO-247封装设计提供了良好的热管理，有助于防止过热损坏。此外，GTB6-P1231 的设计考虑了抗静电和过载保护能力，从而增强了其在复杂电路环境中的耐用性。这些特性使得GTB6-P1231 成为高性能电源、射频放大器和工业控制电路的理想选择。

GTB6-P1231 主要用于需要高电压、高频率和大电流处理能力的电路中。其典型应用包括射频功率放大器、高频开关电源、逆变器、电机驱动电路以及高电压稳压器。此外，它还广泛应用于工业自动化设备、通信基站、激光驱动器和测试设备等领域。在这些应用中，GTB6-P1231 提供了可靠的性能和较长的使用寿命。

GTB6-P1231的替代型号包括GTB6-P1230、GTB6-P1232、2SC4381、2SC4382等。