类型：光电耦合器
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（取决于测试条件）
　　最大正向电流（IF）：50 mA
　　最大集电极电流（IC）：30 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大功耗（PD）：150 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装形式：6引脚DIP（双列直插式封装）

GTB2F-P5131具有多项优异的电气和机械特性，确保其在多种工作环境下的稳定性和可靠性。首先，其高电流传输比（CTR）确保了在输入端较小的电流即可驱动输出端，提高了能效。其次，该光耦具备良好的隔离电压能力，通常可承受高达5000 VRMS的绝缘电压，适用于高电压隔离场合。
　　GTB2F-P5131采用高可靠性封装技术，具有较强的抗振动和抗冲击能力，适合工业级应用。此外，其宽工作温度范围（-55°C ~ +125°C）使其能够在极端温度条件下正常运行，适用于高温或低温环境下的电子设备。
　　该器件还具有响应速度快、寿命长、无机械触点磨损等优点，适用于高频信号传输和长期连续运行的应用场景。同时，其低输入驱动电流特性有助于降低系统功耗，提高整体能效。

GTB2F-P5131广泛应用于工业控制和自动化系统中，作为信号隔离和电平转换的关键元件。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服控制系统、继电器驱动电路中，GTB2F-P5131可用于隔离控制信号与功率电路，防止高电压干扰控制器部分。
　　此外，该光耦也常用于电源管理系统、电池管理系统（BMS）、智能电表、医疗设备、测试仪器等对电气安全性要求较高的场合。由于其高可靠性和宽温度适应性，也适用于汽车电子系统、轨道交通控制设备以及户外通信设备中。

PC817, TLP521, EL357, SFH6106, HCPL-2630