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GT8-2428SCF(70) 发布时间 时间:2025/9/5 11:08:31 查看 阅读:7

GT8-2428SCF(70) 是一款由Giantec Semiconductor(巨积股份有限公司)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能,适用于高频率开关应用。GT8-2428SCF(70) 通常用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):2.4mΩ(最大)
  功率耗散(Pd):134W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

GT8-2428SCF(70) 采用先进的沟槽式技术,提供了极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了整体效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,其最大连续漏极电流可达80A,适合高电流应用。此外,该MOSFET具备优良的热管理能力,能够在高功率密度设计中提供更高的可靠性和更长的使用寿命。栅极驱动电压范围宽,兼容标准逻辑电平驱动,使得设计更加灵活。
  这款MOSFET的封装形式为TO-263(D2PAK),这种表面贴装封装不仅有助于提高PCB布局的灵活性,还能有效降低热阻,提升散热性能。GT8-2428SCF(70) 的设计使其在同步整流、电池管理系统和高效电源转换应用中表现出色,能够满足现代电子设备对高效率、高可靠性和小型化的需求。

应用

GT8-2428SCF(70) 广泛应用于各类电力电子系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、电源开关和负载控制电路。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源管理应用的理想选择。此外,该器件也适用于需要高效率和高可靠性的工业控制设备、通信电源、服务器电源和电动汽车充电系统。

替代型号

SiR862DP, IRLB8726, FDS8858

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GT8-2428SCF(70)参数

  • 制造商Hirose Electric
  • 产品Contacts
  • 系列GT8
  • 位置数量1
  • 安装风格Wire
  • 端接类型Crimp
  • 触点电镀Tin
  • 触点材料Phosphor Bronze