GT4123-CKA 时间：2025/8/5 5:47:21 阅读：18

GT4123-CKA是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能，适合高效率和高密度的电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：40A
　　导通电阻(RDS(on))：最大12.5mΩ（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GT4123-CKA具有多项出色的电气性能和可靠性，适合在高要求的电源系统中使用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作时的导通损耗较低，从而提升系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅结构，增强了开关速度，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，GT4123-CKA具有良好的热稳定性，TO-252封装具备良好的散热能力，能够在较高温度环境下稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持4V至10V的驱动电压，便于与多种驱动IC兼容。同时，该器件具备较强的雪崩能量承受能力，提高了在高压瞬态条件下的可靠性。GT4123-CKA还具备高耐用性和抗静电能力，满足工业级和汽车电子应用对稳定性和可靠性的需求。最后，该MOSFET的封装设计紧凑，便于PCB布局并节省空间，适合高密度电源模块设计。
　　GT4123-CKA的这些特性使其在各种应用场景中表现出色，例如在同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电机控制和电池管理系统中。由于其优异的导通和开关性能，该器件能够有效降低系统的整体功耗，并提高电源系统的稳定性和效率。同时，其高可靠性和良好的热管理能力也确保了在严苛环境下的长期稳定运行。

应用

GT4123-CKA适用于多种电源管理和功率控制应用。主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源适配器、UPS不间断电源、工业自动化设备和汽车电子系统。在这些应用中，GT4123-CKA能够提供高效的功率转换、稳定的导通性能以及良好的热管理能力，满足高效率和高可靠性的设计需求。