类型：LDMOS射频功率晶体管
　　频率范围：1.6 GHz - 2.9 GHz
　　输出功率：典型值为36W
　　增益：约20 dB
　　漏极效率：>60%
　　工作电压：典型28V
　　封装形式：SC-196（标准陶瓷封装）
　　最大工作温度：200°C
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1

GT36-1.6-2.9SCF的核心特性之一是其宽频率范围，使得该器件适用于多个频段的通信系统。该晶体管在1.6 GHz到2.9 GHz范围内均能提供稳定的输出功率和高增益，确保了其在多标准通信系统中的灵活性。此外，GT36-1.6-2.9SCF的高漏极效率意味着在运行过程中能够减少能量损耗，从而降低系统散热需求，提高整体能效。
　　该器件的另一个显著特性是其优异的热稳定性。采用先进的LDMOS技术与陶瓷封装，GT36-1.6-2.9SCF能够在高温环境下稳定工作，适用于高功率密度应用。其高热导率封装设计有助于有效散热，延长器件寿命。
　　GT36-1.6-2.9SCF还具有良好的线性度，这对于现代数字通信系统至关重要。在处理复杂的调制信号时，如OFDM信号，该器件能够提供低失真放大，从而提高信号质量和系统性能。此外，该晶体管具有较高的输入阻抗，使得其在电路设计中更容易匹配，减少外部匹配元件的需求，简化电路设计。

GT36-1.6-2.9SCF广泛应用于无线基础设施，如蜂窝基站、WiMAX基站和数字广播发射机。其宽频段特性使其适合于多频段基站放大器设计，能够在不同频段之间共享硬件资源，降低成本。此外，该器件也常用于工业和医疗射频设备中，如射频加热系统和射频治疗设备，其中需要高功率放大和稳定性能。
　　在测试设备和测量仪器中，GT36-1.6-2.9SCF也常用于构建高功率射频信号源。由于其高可靠性和良好的线性度，该晶体管可用于校准设备和信号发生器，确保测试信号的稳定性和准确性。

NXP的AFT05MS007N50和STMicroelectronics的STAC26CS。