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GT3528/Q2C-B50632C4B2/2T 发布时间 时间:2025/8/29 8:24:20 查看 阅读:13

GT3528/Q2C-B50632C4B2/2T 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子设备中。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适合用于需要高效能和高可靠性的应用。该模块设计用于工业电机驱动、电动汽车、可再生能源系统等领域。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
  最大集电极电流(Ic):75A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:模块
  安装类型:面板安装
  功耗:50W
  短路耐受能力:有
  绝缘等级:增强型绝缘

特性

GT3528/Q2C-B50632C4B2/2T 具有高电流承载能力和低导通压降,这使得它在高功率应用中表现出色。其先进的沟道技术提高了开关性能并降低了损耗。此外,该模块集成了一个热敏电阻,用于温度监测和保护。模块的封装设计提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定运行。该模块的短路耐受能力也增强了其在苛刻环境中的可靠性。
  该模块的另一个关键特性是其紧凑的封装设计,便于在空间受限的应用中使用。其增强型绝缘等级也确保了高电压应用中的安全性。此外,该模块的可焊端子设计确保了可靠的连接,适用于多种安装方式。

应用

GT3528/Q2C-B50632C4B2/2T 常用于工业电机驱动、变频器、电动汽车的逆变器系统、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电能质量调节设备中。其高可靠性和高效率使其成为工业自动化和新能源领域的理想选择。

替代型号

FS75R12KT4_B11

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