类型：MOSFET
　　材质：硅
　　工艺：沟槽型
　　封装类型：表面贴装
　　导通电阻：最大值0.018Ω
　　连续漏极电流：最大值100A
　　漏源电压：最大值30V
　　栅源电压：最大值20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　功率耗散：最大值2.5W

GT335ZUNC/S955E4-1/TR8具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和最小的热量产生，从而提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET的高电流承载能力使其能够在高负载条件下稳定工作，适用于开关电源、DC-DC转换器以及电池管理系统等应用。此外，该器件的封装设计优化了热性能，能够有效散热，确保在高功率环境下的可靠性。
　　GT335ZUNC/S955E4-1/TR8还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护。这使得它在汽车电子、工业控制和可再生能源系统等高要求的环境中具有出色的表现。该MOSFET的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计，并减少了外围元件的数量，从而降低了整体成本。最后，该器件的表面贴装封装形式不仅节省了PCB空间，还提高了装配的自动化程度和生产效率，适用于大批量生产和高密度电路设计。

GT335ZUNC/S955E4-1/TR8广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。此外，它也适用于工业自动化设备、UPS系统、太阳能逆变器和储能系统等高可靠性要求的应用场景。由于其优异的导热性能和小型化封装，该MOSFET也适合用于高密度电路板设计，如服务器电源模块和通信设备的电源管理单元。

SiZ104DT, SiZ100DG, FDS6680, FDS6679