类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：75A
　　短路耐受能力：10μs @ 150°C
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：约2.5μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　绝缘等级：符合UL标准，绝缘电压≥2500Vrms

GT32-4DS-1.5C具备多项先进的电气和热性能，适用于各种高功率工业应用。其核心特性包括：高电压和高电流能力，使其适用于中高功率变频器和电机驱动器；低饱和压降（VCE_sat）显著降低导通损耗，提高系统效率；优化的芯片设计和封装技术，确保在高温环境下依然保持稳定工作；集成反并联快速恢复二极管（FRD），提高系统的可靠性和响应速度；内置热保护功能，有助于防止过热损坏，提高模块寿命。
　　此外，该模块采用双列直插式（DIP）封装，便于安装和散热管理，同时具有良好的绝缘性能，适用于需要高安全等级的工业设备。其短路耐受能力可达10μs，在突发短路情况下能够提供更高的稳定性和安全性，从而保护整个电力系统的正常运行。
　　GT32-4DS-1.5C还支持多种工作模式，包括PWM控制、软开关控制等，适用于各种复杂的电力电子拓扑结构。其高可靠性和长寿命设计，使其成为工业自动化、电梯驱动、可再生能源系统以及电机控制等领域的理想选择。

GT32-4DS-1.5C广泛应用于多种高功率电力电子系统中。典型应用包括：变频器和电机驱动器，用于工业自动化控制；电梯和起重设备的驱动系统；太阳能逆变器和风能变流器中的功率转换模块；不间断电源（UPS）系统；电焊机和感应加热设备；电动汽车充电设备中的功率调节单元；以及各种需要高效率、高可靠性的电力电子变换装置。该模块的高集成度和优异的热管理特性，使其成为高性能功率转换系统的优选器件。

GT32M601D-1.5C, GT32M601S-1.5C, GT32M601T-1.5C