GT3140AN是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有出色的电气特性和可靠性。其封装形式为TO-252(DPAK),能够满足多种应用需求。
GT3140AN的主要特点是具备较低的导通电阻和较高的开关速度,同时具备良好的热性能,适合在高效率、紧凑型设计中使用。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:9.7A
导通电阻:28mΩ
栅极电荷:11nC
开关时间:ton=12ns, toff=26ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
GT3140AN属于增强型场效应晶体管,具有以下特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了较小的传导损耗,提高了整体效率。
2. 快速的开关速度使得该器件非常适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力使其能够在大功率系统中稳定运行。
4. 具备良好的热稳定性和耐用性,支持长时间连续工作。
5. 小型化的TO-252封装简化了PCB布局,并降低了系统的整体尺寸。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
GT3140AN适用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. 电机控制和驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 负载开关和保护电路,用于便携式电子设备。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 各类工业自动化设备中的电源管理模块。
6. LED驱动器和固态继电器等需要高效开关的应用。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P