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GT3140AN 发布时间 时间:2025/6/3 9:18:04 查看 阅读:4

GT3140AN是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有出色的电气特性和可靠性。其封装形式为TO-252(DPAK),能够满足多种应用需求。
  GT3140AN的主要特点是具备较低的导通电阻和较高的开关速度,同时具备良好的热性能,适合在高效率、紧凑型设计中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:9.7A
  导通电阻:28mΩ
  栅极电荷:11nC
  开关时间:ton=12ns, toff=26ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

GT3140AN属于增强型场效应晶体管,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了较小的传导损耗,提高了整体效率。
  2. 快速的开关速度使得该器件非常适合高频开关应用。
  3. 高电流承载能力使其能够在大功率系统中稳定运行。
  4. 具备良好的热稳定性和耐用性,支持长时间连续工作。
  5. 小型化的TO-252封装简化了PCB布局,并降低了系统的整体尺寸。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

GT3140AN适用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 电机控制和驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  3. 负载开关和保护电路,用于便携式电子设备。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 各类工业自动化设备中的电源管理模块。
  6. LED驱动器和固态继电器等需要高效开关的应用。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDN340P

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