类型：NOR Flash
　　容量：32 Mbit (4 MB)
　　组织结构：按字/字节寻址
　　工作电压：3.0V 至 3.6V
　　访问时间：100ns
　　接口类型：并行（x16）
　　封装形式：64-TSOP Type I
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护：硬件 WP 引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程模式：页编程（每页32字）
　　总线宽度：16位
　　CFI 支持：支持 Common Flash Interface
　　耐久性：典型10万次编程/擦除周期
　　数据保持：典型10年

GT28F320C3BA100采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于多层单元（Multi-Level Cell, MLC）架构的NOR闪存工艺，能够在相同的硅片面积上实现更高的存储密度，相较于传统的单层单元（SLC）技术，在成本和空间效率方面具有明显优势。该技术通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量，使得每个存储单元可以表示两个或更多比特的信息，从而将存储容量翻倍甚至更高。然而，为了确保数据的可靠性和稳定性，GT28F320C3BA100在设计中引入了复杂的纠错算法和写入管理机制，以补偿MLC技术可能带来的耐久性和数据保持能力下降的问题。
　　该器件支持高速100纳秒的访问时间，使其适用于需要快速代码执行的应用场景，例如嵌入式系统中的XIP（Execute In Place）模式。这意味着微处理器可以直接从闪存中读取并执行指令，而无需先将代码加载到RAM中，从而节省内存资源并加快启动速度。其16位并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合对性能有一定要求的工业控制、网络设备和通信模块。
　　GT28F320C3BA100内置命令寄存器集，支持标准JEDEC命令序列，包括读取标识符、自动选择、编程、擦除等操作。这些命令通过地址和数据总线输入，简化了外部控制器的驱动开发。同时，它符合Common Flash Interface (CFI) 规范，允许主机系统在运行时查询芯片的关键参数，如厂商ID、设备ID、电压范围、等待状态、块数量及大小等，极大增强了系统的兼容性和可移植性。
　　为了提升系统安全性，该芯片配备了硬件写保护功能，通过WP#引脚可锁定部分或全部存储区域，防止非法篡改或误操作。此外，其内部电荷泵可在正常供电条件下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部提供高电压电源，降低了系统设计复杂度。尽管该型号主要面向商业级应用（0°C ~ +70°C），但其稳定的性能表现也使其在部分工业环境中得到应用。值得注意的是，随着Intel逐步退出NOR Flash市场并将相关资产转移至其他公司（如美光），该器件可能已进入生命周期末期，建议用户在新产品设计中考虑替代方案。

GT28F320C3BA100广泛应用于各类需要非易失性大容量存储的嵌入式系统中，尤其适用于那些要求代码现场执行（XIP）、高可靠性以及中等密度存储的场合。一个典型的应用领域是网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中该芯片用于存储引导程序（Bootloader）、固件映像以及配置参数。由于其支持快速随机读取和直接执行代码的能力，系统可以在上电后迅速加载操作系统或初始化程序，显著缩短启动时间。
　　在工业控制系统中，GT28F320C3BA100常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程终端单元（RTU）的程序存储介质。这类应用通常要求长时间稳定运行且不易受环境干扰，而该芯片的硬件写保护和高抗干扰能力正好满足这些需求。此外，其10万次以上的擦写寿命和长达10年的数据保持能力，确保了即使在频繁更新配置或日志记录的情况下也能维持良好的可靠性。
　　消费类电子产品如机顶盒、智能仪表和多媒体播放器也曾大量采用该型号进行固件存储。特别是在早期数字电视和宽带接入终端中，GT28F320C3BA100凭借其性价比优势成为主流选择之一。此外，某些汽车电子模块，如车载信息娱乐系统（IVI）和车身控制模块（BCM），在非安全关键路径中也可能使用该器件来存放应用程序或本地化资源文件。
　　由于该芯片支持CFI标准，因此非常适合多厂商兼容的设计平台或需要灵活更换存储器件的项目。开发者可以通过统一的驱动框架自动识别闪存特性，减少移植工作量。虽然目前该器件已逐渐被 newer generation NOR Flash 或串行闪存（如Quad SPI NOR）所取代，但在维护现有产线、替换故障部件或进行逆向工程时，GT28F320C3BA100仍然是重要的参考型号。

S29GL032N90TF104
　　MT28F0320TA-10
　　W39L032A-12