制造商：Intel
　　系列：StrataFlash
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：32 Mbit
　　存储器组织：2M x 16
　　接口类型：并行
　　时钟频率：无
　　最大访问时间：100 ns
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　电流消耗 - 工作：20 mA（典型值）
　　电流消耗 - 待机：50 μA（典型值）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP-70
　　引脚数：70
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　擦除周期：100,000 次（典型值）
　　数据保持期：10 年（最小值）
　　数据总线宽度：16 位
　　地址总线宽度：21 位
　　编程时间（字）：约 1 μs
　　块结构：64 块（每块 64KB）
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP#）支持
　　掉电数据保护：支持
　　自动休眠模式：支持
　　可靠性机制：ECC校验、错误管理算法

GT28F320B3TA100的核心技术是Intel独有的MirrorBit结构，该技术通过在氮化物层中形成两个独立的电荷存储区域来实现双比特存储，与传统浮栅技术相比，不仅提高了集成度，还增强了数据保持能力和耐久性。这种创新结构使得在相同的工艺节点下，能够实现更高的存储密度，同时降低单位存储成本。此外，MirrorBit技术对辐射干扰具有更强的抗扰能力，因此特别适用于工业控制、汽车电子等电磁环境复杂的应用场景。
　　该芯片支持多层级电源管理模式，包括正常运行、备用和深度睡眠模式，用户可根据系统需求动态切换以优化整体功耗。其快速读取性能（100ns访问时间）确保了代码执行效率，尤其适合用于XIP（eXecute In Place）架构的嵌入式系统，即处理器直接从闪存中运行程序代码而无需加载到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。片内集成的电荷泵电路可在标准I/O电压下完成编程和擦除操作，无需额外高压电源，简化了系统设计。
　　GT28F320B3TA100具备完善的命令集支持，兼容JEDEC标准的Common Flash Interface (CFI)，便于不同厂商之间的软件兼容与移植。它支持多种保护机制，如硬件写保护（WP#引脚）、软件锁定（Lock Register）以及上电/掉电时的自动写保护，有效防止误操作导致的关键数据丢失。此外，器件内部集成了状态寄存器轮询和Toggle Bit功能，可用于判断编程或擦除操作是否完成，提高系统响应效率。其高可靠性和稳定性使其广泛应用于通信设备、医疗仪器、军工产品等领域。

GT28F320B3TA100广泛应用于各类嵌入式系统中，尤其是在需要本地存储程序代码、配置参数或固件更新的场合。常见应用包括网络路由器、交换机等通信基础设施设备，其中用于存储操作系统镜像和启动引导程序；工业自动化控制系统如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备，利用其高可靠性和宽温特性保障长期稳定运行；消费类电子产品如打印机、POS终端、数码相机等，作为主控MCU的外部程序存储器；车载信息娱乐系统和车身控制模块，在满足汽车级温度要求的前提下提供稳定的非易失性存储解决方案；医疗监控设备和测试仪器，依赖其数据完整性和长期保存能力。
　　此外，由于该芯片支持XIP模式，常被用于无外部RAM或RAM资源有限的低成本嵌入式平台，允许CPU直接从Flash中取指执行，减少系统启动时间和内存占用。在一些需要现场升级固件（FOTA或Field Upgrade）的应用中，GT28F320B3TA100的大块分区结构和高擦写寿命也表现出良好的适应性。尽管随着串行NOR Flash（如SPI Flash）的发展，许多新型设计转向更小封装、更低引脚数的方案，但在需要高带宽并行访问的中高端嵌入式系统中，GT28F320B3TA100仍然具有不可替代的地位。