容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512 K x 16 位
　　工艺技术：StrataFlash MLC NOR Flash
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　封装类型：48-pin TSOP Type I
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除/整片擦除
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　总线宽度：16位
　　待机电流：≤ 200 μA
　　编程/擦除电流：约 20 mA
　　可靠性：10万次擦写寿命，数据保持10年以上

GT28F008B3T90的核心特性之一是其基于Intel StrataFlash技术的多层单元（MLC）架构，这使得它在保持NOR Flash高速读取性能的同时，提升了存储密度并降低了单位成本。与传统的单层单元（SLC）NOR Flash相比，MLC技术通过在同一个存储单元中存储多个电压电平来实现更高的数据密度，虽然在写入和擦除速度上略有牺牲，但在以读取为主的嵌入式应用中表现优异。
　　该芯片支持灵活的扇区架构，整个存储空间被划分为多个可独立擦除的扇区，包括多个较小的参数扇区和较大的主数据扇区，这种设计便于实现数据分区管理、固件更新和配置信息存储。同时，它支持硬件写保护功能，通过WP#引脚防止意外写入或擦除，增强了系统的可靠性。
　　GT28F008B3T90具备快速随机读取能力，90纳秒的访问时间使其非常适合用于存放启动代码（Boot Code）或操作系统映像，支持eXecute-In-Place（XIP）模式，减少对外部RAM的需求。其内部集成电荷泵电路，能够在标准3V电源下完成编程和擦除操作，无需额外的高压电源，简化了系统电源设计。
　　该器件还支持软件命令集控制，通过向特定地址写入命令序列来实现复位、查询状态、编程、擦除等操作，兼容JEDEC标准命令接口，便于移植和开发。此外，芯片内置状态寄存器，可用于轮询操作完成状态或检测错误条件，提升系统控制的灵活性和稳定性。
　　在环境适应性方面，GT28F008B3T90工作温度范围满足商业级要求，适用于大多数室内电子设备。尽管不支持扩展工业温度范围，但其稳定的电气特性和成熟的制造工艺确保了长期运行的可靠性。需要注意的是，随着技术演进，该型号已逐渐停产，建议在新设计中考虑替代方案或使用兼容型号进行升级。

GT28F008B3T90主要用于需要中等容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型应用场景是作为网络设备（如路由器、交换机、防火墙）中的固件存储器，用于存放启动加载程序（Bootloader）、操作系统镜像和配置文件。由于其支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从该Flash芯片中读取并执行代码，无需将程序加载到RAM中，从而节省系统内存资源并加快启动速度。
　　在工业控制系统中，GT28F008B3T90常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程终端单元（RTU），用于存储控制逻辑、用户程序和系统参数。其扇区擦除功能允许对配置数据进行单独更新而不影响主程序，提高了维护便利性。
　　该芯片也广泛应用于打印机、复印机等办公设备中，用于存储设备固件、字体库和用户设置信息。在这些应用中，频繁的读取操作和偶尔的固件升级需求与GT28F008B3T90的读取性能和耐久性相匹配。
　　此外，在通信基础设施设备如基站控制器、DSLAM（数字用户线接入复用器）中，该芯片用于存储设备初始化代码和运行时配置数据。其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合与微控制器或DSP配合使用。
　　由于该芯片已逐步停产，目前主要应用于旧设备维修、备件替换或生命周期较长的工业项目中。对于新设计，推荐使用更现代的串行NOR Flash（如SPI Flash）或其他兼容替代品以获得更低功耗、更高集成度和持续供货保障。

S29GL064N90TFI04
　　M29W008G-90
　　THGBM5G9D8KBAIL