类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：100~800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：250MHz（最小）
　　噪声系数：4dB（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：16 引脚陶瓷 DIP

GT2548RA2 具备多项优异特性，使其在高性能电子系统中表现卓越。首先，该器件采用双晶体管结构，两个 NPN 晶体管具有高度匹配性，特别适用于需要精确匹配的差分放大器和模拟乘法器电路。其次，其高过渡频率（fT）达到 250MHz 以上，使得它在高频放大和射频应用中表现出色，适合用于低噪声放大器（LNA）和混频器等电路。
　　此外，GT2548RA2 具有低噪声系数，最大为 4dB，适用于对噪声敏感的信号处理应用，例如通信接收机和精密测量设备。其电流增益（hFE）范围广，根据等级不同可从 100 到 800 不等，满足不同放大需求。器件的集电极-发射极电压为 50V，集电极电流为 100mA，能够在中等功率条件下稳定工作。
　　GT2548RA2 采用陶瓷 DIP 封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于高可靠性应用场景，如航空航天、军事电子和工业控制系统。其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也确保了在极端环境下的稳定运行。

GT2548RA2 广泛应用于需要高稳定性和高性能的电子系统中。常见的应用包括：精密运算放大器中的输入级、差分放大器、低噪声放大器（LNA）、射频混频器和调制解调器、模拟乘法器和除法器、温度补偿电路以及高精度传感器接口电路。此外，由于其高可靠性和宽温度范围，GT2548RA2 也常用于军事、航空航天和工业控制领域的关键电路中。

AD645, LM394, MAT12, LM499