GT25-40DS-R是一款由Toshiba(东芝)公司制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,主要用于高功率应用,如工业电机驱动、变频器、电源转换系统等。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,具备高耐压、高电流承载能力和低开关损耗等特点。GT25-40DS-R采用了先进的芯片技术和模块封装工艺,确保了其在恶劣工作环境下的稳定性和可靠性。该模块通常用于三相逆变器拓扑结构中,适用于交流电机控制、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等多种电力电子设备。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):25A
短路耐受电流:50A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:双列直插式(Dual)
配置:半桥(Half Bridge)
芯片技术:沟道型IGBT
关断延迟时间(td(off)):典型值为0.6μs
导通损耗(Eon):典型值为0.6mJ
关断损耗(Eoff):典型值为1.0mJ
GT25-40DS-R具有多项优良特性,适合用于高性能功率转换系统。首先,该模块的VCES额定值为1200V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用场合。其次,额定集电极电流为25A,短路耐受电流可达50A,具备较强的过载能力,适用于需要瞬时高电流的电机驱动和变频器系统。
在开关特性方面,GT25-40DS-R具有较低的导通和关断损耗,分别约为0.6mJ和1.0mJ,有助于提高系统效率并降低散热要求。其关断延迟时间仅为0.6μs,响应速度快,适用于高频开关操作。
此外,该模块采用双列直插式(Dual)封装结构,内部集成了两个IGBT器件并配有反并联快速恢复二极管,构成半桥拓扑结构。这种设计简化了外部电路布局,提高了系统的集成度和可靠性。
GT25-40DS-R的热性能也非常优异,可在-40°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作。模块内部采用高导热性材料和优化的热路径设计,有效降低了热阻,提高了散热效率,适用于高温环境下的工业应用。
GT25-40DS-R广泛应用于各种电力电子设备中,主要适用于中等功率级别的逆变器和变频器系统。其典型应用包括工业交流电机驱动、伺服控制系统、不间断电源(UPS)、太阳能光伏逆变器、电焊机、感应加热装置以及电动车辆的功率变换系统。
由于该模块具备较高的电压和电流能力,以及良好的热稳定性和低损耗特性,因此非常适合用于需要高效能、高可靠性的工业自动化设备。例如,在变频器中,GT25-40DS-R可用于构建三相桥式逆变电路,实现对交流电机的精确控制;在太阳能逆变器中,它可用于将直流电转换为交流电并馈入电网,具备较高的能量转换效率。
此外,GT25-40DS-R也可用于需要高频开关操作的感应加热设备中,提供稳定的功率输出,并有助于减小系统的体积和重量。其双列直插式半桥模块结构也使其在电焊机等设备中得到广泛应用,简化了电路设计并提高了系统的整体性能。
GT25JF121-S、GT25QFD121、SKM25GB12T4、FGA25N120D