GT21-30/1.6-2.9SCF 是一款高频功率晶体管,通常用于射频(RF)和微波功率放大器应用。该器件基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,具备高功率密度、高效率和良好的热稳定性。GT21-30/1.6-2.9SCF 特别适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播设备和其他需要高功率RF输出的场合。
类型:LDMOS RF功率晶体管
频率范围:1.6GHz - 2.9GHz
输出功率:30W(典型值)
漏极电压:32V
漏极电流:1.5A(脉冲)
增益:>18dB
效率:>40%
封装形式:陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GT21-30/1.6-2.9SCF 采用先进的LDMOS技术,具备高功率密度和高线性度,适用于多种射频功率放大应用。该器件在1.6GHz至2.9GHz的频率范围内提供高达30W的输出功率,具有较高的功率增益(通常超过18dB)和良好的效率表现(超过40%)。
其陶瓷金属封装提供了优异的散热性能和机械稳定性,确保在高温和高功率环境下仍能稳定运行。此外,GT21-30/1.6-2.9SCF 具有良好的热稳定性和抗失真能力,适用于需要高线性度的通信系统。
该晶体管适用于脉冲和连续波(CW)操作,能够在较宽的温度范围内工作(-55°C至+150°C),适合工业和通信设备中的严苛环境。其设计还支持高输入阻抗,简化了与前级电路的匹配需求。
GT21-30/1.6-2.9SCF 主要用于射频功率放大器模块,广泛应用于蜂窝通信基站(如GSM、CDMA、LTE等)、广播设备(如FM和TV发射机)、雷达系统、测试仪器以及各种需要高功率射频输出的工业和通信设备中。其高频段覆盖和高功率特性使其成为无线基础设施中不可或缺的组件。
NXP AFT05MP070N, Freescale MRFE6VP6300H, STMicroelectronics STAC2215M