类型：射频功率晶体管
　　工艺：硅双极型
　　频率范围：1.6 GHz - 2.9 GHz
　　最大功率输出：30W
　　增益：约18dB
　　电源电压：+28V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：陶瓷封装
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　效率：约65%

GT21-30/1.6-2.9SCF(ID)具有多项卓越的性能特性。首先，它能够在1.6 GHz到2.9 GHz的高频范围内提供高达30W的功率输出，满足现代通信系统对高频信号的需求。其次，该晶体管具有较高的增益，通常达到18dB，确保信号的高效放大。此外，其效率约为65%，有效减少了功耗并降低了散热需求。
　　这款射频功率晶体管的工作电压为+28V，适合用于多种射频系统。其输入和输出阻抗为50Ω，与常见的射频电路匹配良好，减少了信号反射和损耗。GT21-30/1.6-2.9SCF(ID)还具有宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在极端环境下的可靠运行。封装采用陶瓷材料，提供了良好的热稳定性和机械强度，有助于提高器件的耐用性。
　　该晶体管的高可靠性和长寿命设计，使其非常适合用于高要求的应用场景，如广播设备、无线通信基站、雷达系统和工业测试设备。此外，其优异的线性性能和低失真特性，使其在需要高质量信号放大的应用中表现出色。

GT21-30/1.6-2.9SCF(ID)广泛应用于多种射频和通信系统。由于其高频率范围和高功率输出能力，它常用于无线通信基站、广播发射机和雷达系统。在广播领域，该晶体管可以作为射频放大器，用于发射调频广播和数字广播信号。在无线通信中，它被用于基站的功率放大器模块，以支持高频段的信号传输。
　　此外，GT21-30/1.6-2.9SCF(ID)也适用于工业测试设备，如信号发生器和频谱分析仪，提供稳定的射频信号源。在军事和航空航天领域，该晶体管可用于雷达发射机，支持高精度的探测和测距。其优异的热稳定性和宽工作温度范围，使其在恶劣环境下的应用中表现出色，如车载通信系统和户外基站设备。
　　该器件还可用于高功率射频加热系统，如工业微波炉和射频等离子体发生器。在这些应用中，晶体管的高功率输出和高效能特性能够提供稳定的能量供应，确保系统的稳定运行。

GT21-30/1.6-2.9SCF(ID)的替代型号包括MRF6VP2300H和NXP的AFT05WP070N。