时间：2025/9/5 17:10:27
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GT21-2428/1.6-2.9SCF 是一款高性能的射频功率晶体管，广泛应用于通信设备、工业射频加热系统、广播发射机以及其他需要高功率射频放大的场合。该晶体管基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具备高效率、高线性度和良好的热稳定性。
类型：LDMOS射频功率晶体管
工作频率范围：1.6 GHz - 2.9 GHz
输出功率：2428 W（典型值）
增益：约20 dB
效率：约65%
工作电压：28 V
封装形式：高功率气密封装
热阻（Rth）：0.15°C/W
最大漏极电流：30 A
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
GT21-2428/1.6-2.9SCF 的核心优势在于其卓越的射频性能和高可靠性。该器件采用了先进的LDMOS工艺技术，能够在高频段（1.6 - 2.9 GHz）提供高达2428 W的输出功率，适用于多频段和宽带应用。其高增益特性（约20 dB）和高效率（可达65%）使其在基站、广播发射系统和工业加热设备中表现出色，显著降低了电源消耗和散热需求。
此外，该晶体管具有良好的线性度，有助于减少信号失真，提升系统的整体性能。其28 V的工作电压设计兼容于常见的射频电源架构，简化了系统集成。器件封装采用高功率气密封装技术，提供了优异的热管理和机械稳定性，确保在恶劣环境下也能稳定运行。其热阻仅为0.15°C/W，能够在高功率运行时有效散热，延长器件使用寿命。
该晶体管还具备良好的抗过载能力和稳定的电气性能，适用于高可靠性要求的军事和工业应用。其工作温度范围为-65°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境。
GT21-2428/1.6-2.9SCF 主要应用于以下领域：
- 4G/5G通信基站射频功率放大器
- 数字广播发射系统（如DVB-T、DAB）
- 工业射频加热和等离子体发生设备
- 雷达和测试测量设备
- 高功率无线基础设施
由于其宽频段覆盖能力（1.6 - 2.9 GHz），该晶体管非常适合用于多频段或多标准通信系统，如LTE、WiMAX和GSM等。其高效率和高线性度特性使其成为现代通信系统中实现高能效和高质量信号传输的关键组件。
NXP AFT2428S-2500, Freescale MRFE6VP61K25H, STMicroelectronics STRF2428
