时间：2025/8/29 7:10:24
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GT1918是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：200A（在25℃下）
导通电阻(Rds(on))：约2.8mΩ（典型值）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
GT1918的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，以优化其导通和开关性能。其高电流容量和低Rds(on)使其在高功率应用中表现优异，同时具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
此外，GT1918具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定性。器件的栅极设计优化了开关速度，从而减少了开关损耗，并提高了整体效率。
GT1918通常用于各种高功率电子设备中，例如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源开关、UPS系统以及工业自动化控制系统。此外，该器件也常用于汽车电子应用，如电动车辆的电源管理系统和车载充电器。
SiMOSFET：SiM220T60P、IPW60R028C7
