GT17VB-6DP-DS(56) 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,如工业电机驱动器、变频器、电焊机和不间断电源(UPS)系统。该模块采用高性能硅芯片技术和先进的封装设计,以提供高效率、高可靠性和高热稳定性。GT17VB-6DP-DS(56) 的设计目标是在中高功率应用中提供良好的导通和开关性能,并具备较低的导通压降和开关损耗。
集电极-发射极电压(VCES):1700 V
集电极电流(IC):120 A(TC=80℃)
短路电流能力:240 A(最大)
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
栅极驱动电压:±15 V(推荐)
导通压降(VCE_sat):约2.15 V @ IC=120 A, TJ=25℃
输入电容(Cies):约 4500 pF
输出电容(Coes):约 500 pF
反向恢复时间(trr):约 2.5 μs
封装类型:双列直插式封装(DP)
安装方式:底座绝缘安装
认证标准:符合RoHS标准
GT17VB-6DP-DS(56) 采用东芝先进的IGBT技术,具备优异的导通和开关特性。该模块在高电压和大电流条件下仍能保持稳定的性能,适合要求严苛的工业应用。其低导通压降可减少功率损耗,提高系统效率,而优化的开关特性则有助于降低电磁干扰(EMI)和开关损耗。
此外,该模块集成了快速恢复二极管(FRD),与IGBT芯片协同工作,提升了反向恢复性能,适用于高频开关场合。模块内部采用多层绝缘设计,确保了高介电强度和安全等级,适用于高电压隔离需求的应用。
在热管理方面,GT17VB-6DP-DS(56) 具有良好的热传导性能,支持长时间高负载运行。其封装结构具备优异的机械强度和抗振动能力,适用于恶劣工业环境。同时,模块的封装材料符合环保标准,不含铅等有害物质,符合RoHS和REACH法规要求。
GT17VB-6DP-DS(56) 主要用于需要高功率密度和高可靠性的工业控制系统中,包括:
? 工业变频器和伺服驱动器
? 电焊机和等离子切割设备
? 不间断电源(UPS)系统
? 电动车辆充电设备
? 太阳能逆变器和储能系统
? 工业加热设备和高频电源
由于其高电压和大电流能力,该模块在中高功率应用中表现出色,适用于需要高效能、高稳定性和长寿命的电力电子系统。
SKM150GB176D, FF150R17KE4, FZ1200R17KE3