时间：2025/9/4 7:50:16
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GT17HG-4DP-2DSA(C)(55) 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于高功率应用。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管芯片，通常用于工业电机驱动、变频器、逆变器和电力电子设备中。该型号的封装形式为双列直插式（Dual-in-line Package, DIP），具备良好的热管理和电气性能。
最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
最大集电极电流（IC）：75A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
短路耐受能力：6μs
栅极驱动电压范围：-15V 至 +20V
导通压降（VCE_sat）：约2.5V（典型值）
绝缘耐压等级：2500V AC（1分钟）
GT17HG-4DP-2DSA(C)(55) 拥有优异的功率处理能力，适用于高压和大电流的工作环境。其IGBT芯片采用了先进的沟道技术，具有较低的导通压降和开关损耗，提高了系统的整体效率。模块内部集成的快速恢复二极管能够有效降低反向恢复损耗，提升系统稳定性。此外，该模块采用DIP封装设计，便于安装和散热管理，适合在紧凑型电力电子设备中使用。其高绝缘耐压等级确保了在高电压环境下的安全运行，广泛应用于工业自动化、可再生能源系统和电能质量控制设备中。
该模块还具备良好的热性能，能够在高工作温度下保持稳定运行。其封装材料和内部结构设计优化了热传导路径，降低了热阻，从而延长了模块的使用寿命。此外，该模块具有较强的短路耐受能力，能够在突发短路故障时提供一定的保护，防止器件损坏。这种特性使其特别适用于对可靠性要求较高的工业应用场合。
GT17HG-4DP-2DSA(C)(55) 常用于工业电机控制、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及太阳能逆变器等高功率电子系统中。其优异的电气和热性能使其在这些应用中能够提供稳定的功率转换效率，并确保系统的长期可靠运行。
GT17HG-4DP-2DSB(C)(55), GT17HG-4DP-2DSA, GT17HG-4DP-2DSA-C
