类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：1700V
　　额定集电极电流（Ic）：450A
　　封装形式：双侧散热封装（DSC）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　短路耐受能力：6μs
　　栅极驱动电压：±15V
　　导通压降：约2.65V（典型值）
　　热阻：0.26°C/W（典型值）
　　安装方式：螺钉安装
　　绝缘材料：陶瓷绝缘

GT17HG-4DP-2DSA(B)(55) 具备出色的热管理和电气性能，采用先进的IGBT芯片技术，提供较低的导通和开关损耗，从而提高整体系统效率。其双侧散热结构有助于增强散热能力，适用于高功率密度设计。此外，模块内置有快速恢复二极管，可减少反向恢复损耗，提高系统的可靠性。模块还具有良好的短路耐受能力和过载保护特性，使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
　　该模块的封装设计考虑了机械强度和绝缘性能，确保在高电压和大电流条件下的安全运行。其陶瓷绝缘材料提供了优异的绝缘性能，同时模块的引脚和端子设计便于快速安装和连接。GT17HG-4DP-2DSA(B)(55) 还采用了低电感布局设计，以减少开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性和可靠性。
　　在制造工艺上，该模块通过了严格的测试和质量控制流程，确保其在各种工业环境中的稳定性和耐用性。无论是从电气性能、热管理还是机械设计方面，GT17HG-4DP-2DSA(B)(55) 都表现出色，是一款适用于高要求功率应用的IGBT模块。

GT17HG-4DP-2DSA(B)(55) 主要应用于工业变频器、伺服驱动器、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、风力发电变流器以及各种需要高功率转换效率的电力电子设备中。

SKM400GB176D, FF450R17KE4_B11