类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 160V
　　最大漏极电流(Id): 18A
　　导通电阻(Rds(on)): 0.125Ω（典型值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th)): 2.9V（最小值）
　　最大功耗(Pd): 125W
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: TO-220

GT16G-/1.6-2.9PC 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件在高温下仍能保持稳定的性能，其热阻（Rth）较低，确保了良好的散热能力。此外，它具有较高的雪崩能量承受能力，适用于在开关过程中可能遇到高能量瞬态的应用。
　　
　　 该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计，并且具有良好的动态响应特性，适合高频开关应用。其 TO-220 封装提供了良好的机械稳定性和易于安装的特性，适用于 PCB 安装和散热片连接。
　　
　　 另外，GT16G-/1.6-2.9PC 还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间的异常工作条件下提供一定的保护。这种特性使其非常适合用于电源管理和电机控制应用，例如在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子系统中。

GT16G-/1.6-2.9PC 主要应用于各种电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统。由于其高可靠性和良好的热性能，它也广泛用于工业控制设备、电动工具、电动车和不间断电源（UPS）等需要高功率密度和高效率的系统中。

STP16NF16、IRF540N、FDPF16N16S