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GT1003A 发布时间 时间:2025/12/26 23:06:11 查看 阅读:16

GT1003A是一款由艾为电子(AWINIC)推出的音频放大器芯片,广泛应用于移动设备、智能穿戴设备及便携式消费类电子产品中。该芯片属于G类音频功放系列,采用高效的动态电源调节技术,在保证高保真音频输出的同时显著降低功耗,延长电池续航时间。GT1003A集成了立体声D类功放与模拟输入接口,适用于驱动耳机或小型扬声器。其设计兼顾高性能与低功耗,适合对空间和能效要求较高的应用场景。
  该芯片通常采用紧凑型封装,如WLCSP或QFN,便于在小型化设备中布局。内置保护机制包括过流保护、过热保护和短路保护,提升了系统的稳定性和可靠性。GT1003A支持宽电压工作范围,能够适应不同电源环境下的音频播放需求。此外,芯片可通过外部电阻或内部寄存器配置增益和其他工作参数,具备良好的系统兼容性与灵活性。

参数

类型:立体声G类音频放大器
  工作电压:2.5V 至 5.5V
  输出功率:典型值1.2W(8Ω负载,5V电源)
  信噪比(SNR):≥90dB
  总谐波失真(THD):≤0.05%(1kHz,100mW输出)
  关断电流:≤1μA
  静态电流:典型值2.5mA
  增益配置:固定增益或可调增益(通过外部电阻设置)
  封装形式:WLCSP-16 或 QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  音频接口:模拟输入(差分或单端)

特性

GT1003A的核心优势在于其采用的G类架构与高效升压电路相结合,实现了远超传统D类功放的能效表现。G类技术通过动态调节功放供电电压,使其始终与音频信号幅度相匹配,从而大幅减少不必要的能量损耗。在播放低电平信号时,芯片自动切换至低电压模式运行,显著降低静态功耗;而在高音量输出时则无缝切换至高压模式,确保足够的输出动态范围。这种智能电压调节机制不仅提高了整体效率,还减少了发热,避免了因高温导致的性能下降或器件老化问题。
  该芯片具备出色的音频性能指标,信噪比高达90dB以上,能够有效抑制背景噪声,呈现清晰细腻的声音细节。总谐波失真低于0.05%,保证了音频信号的高度还原,适合播放音乐、语音通话等多种内容。同时,GT1003A内置先进的防爆裂音(pop-noise)抑制电路,在开机、关机或模式切换过程中有效消除可闻噪声,提升用户体验。其差分输入结构增强了对共模噪声的抑制能力,特别适用于手机等电磁环境复杂的设备。
  为了适应多样化的系统设计需求,GT1003A提供灵活的增益配置选项,用户可通过外接电阻设定不同的电压增益值,简化与前级音源的匹配过程。芯片还集成数字控制接口(如I2C或专用控制引脚),支持多种工作模式切换,例如正常工作、待机和关断模式,便于主控MCU进行电源管理。此外,全面的保护功能包括自动恢复型过流保护、热关断保护以及输出短路保护,确保在异常工况下仍能维持系统安全。
  GT1003A在PCB布局上优化了电源路径和接地设计,减少了对外部滤波元件的依赖,有助于缩小整体方案尺寸。其高频开关频率设计也降低了电磁干扰(EMI),满足FCC和CE等电磁兼容标准要求。综合来看,GT1003A以其高集成度、低功耗、高音质和高可靠性,成为中高端便携式音频设备的理想选择。

应用

GT1003A主要应用于各类便携式消费电子产品,尤其是对音频质量和功耗有较高要求的设备。常见应用包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备,用于驱动耳机或内置微型扬声器。在这些设备中,GT1003A能够提供清晰、响亮且不失真的音频输出,同时最大限度地节省电池电量,延长使用时间。
  此外,该芯片也适用于TWS(真无线立体声)耳机充电盒中的音频处理模块、便携式游戏机、电子书阅读器以及语音助手类设备。在智能家居终端如带屏音箱、可视门铃中,GT1003A可用于实现高质量的本地提示音或语音反馈功能。
  由于其优异的抗干扰能力和稳定的输出性能,GT1003A还可用于工业手持终端、医疗监测设备等人机交互界面中,提供可靠的音频提示服务。其小封装特性使得它非常适合高密度贴装的SMT生产工艺,适用于自动化大规模生产场景。结合其宽工作电压范围,GT1003A能够在单节锂电池供电系统中稳定运行,无需额外稳压电路,进一步简化电源设计。

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GT1003A参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.54000剪切带(CT)3,000 : ¥0.77730卷带(TR)
  • 系列GT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)140 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)206 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3