GT-TC025A-H0065-L1 是一款高性能、低噪声的射频功率放大器(RF Power Amplifier),广泛用于通信系统中的信号增强和传输环节。该器件采用先进的射频半导体工艺制造,能够在高频范围内提供稳定且高效的功率放大能力,适用于无线基础设施、基站、微波通信和工业测量设备等应用场景。其紧凑的封装设计和高集成度使其成为现代射频系统中不可或缺的一部分。
类型:射频功率放大器
工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:25 W(典型值)
增益:18 dB
增益平坦度:±0.5 dB
噪声系数:4.5 dB
工作电压:+28 V DC
工作电流:典型值 1.2 A
封装类型:LDMOS多芯片模块
尺寸:25 mm x 15 mm x 3 mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GT-TC025A-H0065-L1具备多项高性能特性,能够满足现代射频系统对功率放大器的严格要求。首先,其工作频率范围覆盖2.3 GHz至2.7 GHz,适用于包括WiMAX、LTE、5G通信以及工业无线设备在内的多种高频应用。在输出功率方面,该放大器可提供高达25 W的典型输出功率,确保信号在远距离传输中保持较强的信号强度和清晰度。此外,该器件具有18 dB的高增益,增益平坦度控制在±0.5 dB以内,保证了在不同频率点上输出信号的一致性和稳定性。
该射频功率放大器的噪声系数为4.5 dB,表明其在放大信号的同时能有效控制噪声的引入,从而提高整体系统的信噪比。工作电压为+28 V DC,工作电流为1.2 A(典型值),适用于标准的射频电源管理系统。封装方面,GT-TC025A-H0065-L1采用先进的LDMOS多芯片模块技术,具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下稳定运行。其紧凑的尺寸(25 mm x 15 mm x 3 mm)使得该器件易于集成到空间受限的电路板中,同时支持表面贴装工艺,提高了制造效率。
该放大器还具备良好的线性度和热保护功能,可在高功率输出下维持较低的失真水平,满足通信系统对高质量信号传输的需求。宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种工业环境,包括户外基站和高温工业设备。
GT-TC025A-H0065-L1广泛应用于多种射频通信和工业系统中。在无线通信领域,该器件常用于构建基站、中继器和无线接入点,尤其是在WiMAX、LTE和5G网络部署中,作为发射链路中的关键功率放大单元。此外,它还可用于微波通信设备,如点对点微波链路和卫星通信终端,提供稳定可靠的射频信号放大功能。在工业领域,该放大器可用于测试测量设备、雷达系统和工业传感器,以增强信号传输能力和系统整体性能。
GT-TC025A-H0065-L2, RFPA2527, MRF6VP20250HR3