时间：2025/4/30 16:02:33
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GSW47N60EF 是一款高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和工业控制领域。该器件采用 TO-247 封装形式，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适合需要高效能与稳定性的电路设计。
这款功率 MOSFET 的核心优势在于其优异的电气性能以及在高温环境下仍能保持稳定工作的能力，适用于对功率效率要求较高的应用场景。
最大漏源极电压：600V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GSW47N60EF 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压（600V），可确保在高压环境下的安全运行。
2. 较低的导通电阻（150mΩ 典型值），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够降低开关损耗并支持高频操作。
4. 极低的栅极电荷（35nC），使得驱动更简单且功耗更低。
5. 支持高达 175℃ 的结温，非常适合恶劣环境中的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 内置静电防护功能，提升了器件的抗干扰能力。
GSW47N60EF 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）及 DC-DC 转换器。
2. 工业逆变器与电机驱动器。
3. 太阳能逆变器及风力发电系统。
4. 电动车辆中的牵引逆变器。
5. 照明镇流器和 LED 驱动器。
6. 各类高功率电子负载保护装置。
7. UPS 不间断电源和电池管理系统。
IRFP460N
FDP5800
STW81N60DM2
