时间：2025/5/8 10:22:07
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GSD13N65E是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频开关电路、功率转换器和电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合在高压环境下工作。
该型号由知名半导体厂商生产，采用TO-247封装形式，确保了良好的散热性能和电气连接稳定性。其设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，适用于各种需要高效能和可靠性的应用场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：13A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
总电容：1450pF
开关时间：ton=65ns，toff=45ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
GSD13N65E的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为650V，可适应高压工业应用环境。
2. 低导通电阻（Rds(on)）仅为0.18Ω，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，典型开关时间为数十纳秒级别，支持高频工作需求。
4. 小巧紧凑的TO-247封装设计，具备优异的散热性能。
5. 栅极阈值电压经过精确控制，确保稳定性和一致性。
6. 工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃均可正常运行，适用于极端环境条件下的应用。
GSD13N65E适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器及逆变器设计中的功率开关。
3. 电机驱动与控制电路中的功率输出级。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品的功率模块。
6. 各类需要高效能功率开关的应用场景。
GSD13N65B, IRFP250N, STW85N65DM2
