时间：2025/5/8 15:14:11
阅读：7
GSA15N65M是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，如开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等。其设计注重效率与可靠性，适合需要高性能和稳定性的工业及消费类电子产品。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：3V~5V
导通电阻：0.7Ω（典型值，在Vgs=10V时）
功耗：180W
工作结温范围：-55℃~150℃
GSA15N65M具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为650V，可满足高压应用场景需求。
2. 低导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 内置保护机制，包括雪崩能量承受能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. TO-220封装，便于散热和安装，适合各种功率应用环境。
GSA15N65M广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种逆变器和UPS不间断电源系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 消费类电子产品中的电源管理和电池充电电路。
IRF840, STP15NF65, K15N65
