类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：90A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.4mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

GS90A24-P1M MOSFET 具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率，特别适合高电流应用场景。其次，该器件具有高耐压能力（100V），能够承受瞬态过压和电感反冲电压，增强了系统的稳定性和可靠性。此外，GS90A24-P1M 的最大连续漏极电流为 90A，支持高功率输出需求，适用于大电流开关和电机控制等应用。
　　该器件的封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的热管理性能，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。同时，其 ±20V 的栅源电压耐受能力允许使用更高电压的栅极驱动器，从而实现更快速的开关动作，降低开关损耗。
　　此外，GS90A24-P1M 在宽温度范围内（-55°C 至 +175°C）保持稳定性能，适用于各种恶劣环境下的应用。该器件的高可靠性和耐用性也使其成为汽车电子、工业电源、储能系统等对可靠性要求较高的领域的理想选择。

GS90A24-P1M MOSFET 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。在电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统（BMS），该器件的低导通电阻和高耐压特性有助于提高转换效率并降低系统发热。在电机驱动和电机控制应用中，例如无刷直流电机（BLDC）控制器和伺服驱动器，GS90A24-P1M 能够提供高电流输出能力，确保电机的平稳运行和高效控制。
　　该器件也常用于工业自动化设备中的功率开关电路，如 PLC 控制模块、工业逆变器和高频开关电源。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，GS90A24-P1M 可用于构建高效的功率转换模块，提升能源利用率。此外，在汽车电子系统中，包括车载充电器（OBC）、电驱系统和电动助力转向系统（EPS），该 MOSFET 凭借其高可靠性和宽工作温度范围，能够满足汽车环境下的严苛要求。

Si9986DS、IRF1404、FDMS8878、IPB095N10N3G、NVTFS5C471NL、GS90A24-P1M