类型：异步静态随机存取存储器（ASRAM）
　　容量：9Mb（256K x 36）
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：361-TFBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　数据总线宽度：36位
　　地址总线宽度：18位

GS9092ACNE3-FJ 的主要特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为5.4ns，这使得它非常适合需要快速数据处理的应用。该芯片采用低功耗设计，能够在保持高性能的同时有效降低能耗。此外，该器件支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），提高了其在不同工作环境下的兼容性和稳定性。其CMOS工艺确保了良好的抗噪能力和高可靠性。
　　该芯片的封装形式为361-TFBGA，这种封装方式不仅节省空间，而且具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度电路板设计。GS9092ACNE3-FJ 还支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），能够在恶劣环境下稳定运行。另外，该器件的并行接口提供了宽数据总线（36位），能够实现高带宽的数据传输，适用于高速缓存、帧缓冲和数据队列等应用。

GS9092ACNE3-FJ 主要应用于需要高速数据存储和快速访问的场景。例如，在网络设备中，该芯片可用于高速缓存、路由表存储和数据包缓冲，以提高网络处理效率。在通信系统中，它可以作为高速数据缓冲器，支持实时数据处理和传输。此外，该芯片也适用于测试仪器、工业控制设备以及高性能计算系统，为这些设备提供可靠的数据存储和快速访问能力。
　　由于其低功耗和高性能的特点，GS9092ACNE3-FJ 还可以用于嵌入式系统和便携式设备中，帮助延长设备的电池寿命，同时保持高效的数据处理能力。该芯片的稳定性和可靠性也使其成为航空航天和汽车电子等高要求领域中的理想选择。

CY7C1380D-548BZXC, IDT71V416SA8BQG