GS9035CCPJ 是一颗由 GenSemi(杰盛半导体)设计制造的高性能、低功耗的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器芯片。该器件主要用于驱动 N 沟道 MOSFET,适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、同步整流等功率电子应用。GS9035CCPJ 提供了高驱动能力、宽工作电压范围以及良好的热稳定性,适用于各种高效率开关电源系统。
类型:MOSFET驱动器
通道类型:高端/低端驱动
工作电压范围:8V - 20V
输出电流能力:±350mA(典型)
传播延迟:10ns(典型)
上升/下降时间:5ns(典型)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:14引脚 SOP
输入逻辑兼容性:CMOS/TTL
GS9035CCPJ 是一款专为高频率、高效率功率转换应用设计的双通道 MOSFET 驱动器。其高端与低端驱动结构适用于半桥或全桥拓扑,能够有效控制 N 沟道 MOSFET 的导通与关断。该芯片支持 8V 到 20V 的宽输入电压范围,确保了在不同应用场景下的稳定运行。其 ±350mA 的峰值输出电流能力可以快速驱动大功率 MOSFET,从而降低开关损耗并提高整体系统效率。
该器件的传播延迟时间仅为 10ns(典型值),上升和下降时间也控制在 5ns 左右,使其非常适合高频开关应用。此外,GS9035CCPJ 采用了先进的工艺制造,具有良好的抗干扰能力和热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,满足工业级温度要求。
在封装方面,GS9035CCPJ 使用的是 14 引脚 SOP 封装,便于 PCB 布局和散热处理。该芯片输入逻辑兼容 CMOS 和 TTL 电平,方便与各种控制器(如 DSP、MCU 或 PWM 控制器)连接。其集成的欠压锁定(UVLO)功能可防止在电源电压不足时误动作,提高系统的可靠性和安全性。
GS9035CCPJ 主要用于需要高效驱动 MOSFET 的各种功率电子系统中。典型应用包括同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器、功率因数校正(PFC)电路以及太阳能逆变器等。由于其高驱动能力和高频响应特性,该芯片特别适用于需要高效率和高功率密度的开关电源系统。
此外,GS9035CCPJ 也常用于工业自动化控制系统、电动汽车充电模块、UPS(不间断电源)、通信电源和服务器电源等对稳定性和效率有较高要求的应用场景。其宽电压输入范围和良好的热管理能力,使其在各种恶劣环境下也能保持稳定运行。
TC4420CPA, IR2110S, MIC502-YN