时间：2025/8/4 20:54:31
阅读：21
GS9025ACQME3是一款由Vishay Siliconix生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET?技术，具有低导通电阻和高功率效率的特点。该器件适用于多种高性能电源管理应用，能够提供出色的热稳定性和电气性能。
类型：功率MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：25mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：4.2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
GS9025ACQME3的主要特性包括：
1. 采用TrenchFET?技术，实现极低的导通电阻，从而降低功率损耗并提高效率。
2. 双N沟道设计使其适用于同步整流和负载开关等应用，提供更高的集成度。
3. 高栅极电压容限（±20V），增强器件在高噪声环境下的可靠性。
4. 低热阻封装设计，提升热管理性能，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，无铅环保封装，适用于现代电子制造的环保要求。
6. 高电流承载能力（11A）和良好的热稳定性，适合高功率密度设计。
GS9025ACQME3广泛应用于以下领域：
1. 电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
2. 服务器和电信设备中的高效率电源模块。
3. 电机驱动和功率放大器设计。
4. 笔记本电脑、平板电脑和移动设备的电源管理单元。
5. 汽车电子系统，包括车载充电器和电动助力转向系统。
6. 工业自动化设备和嵌入式系统中的功率控制模块。
Si3442DV-T1-GE3, BSC016N03MSG, NVTFS5C471NLWFT1G
