类型：异步静态随机存取存储器（ASRAM）
　　容量：256K x 36位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：3.0ns
　　封装类型：361-TBGA
　　工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据宽度：36位
　　最大时钟频率：无（异步模式）
　　读取电流：典型值120mA（待机模式下更低）
　　写入电流：典型值150mA
　　封装尺寸：14mm x 14mm

GS88236CD-300T是一款高性能异步SRAM，其主要特性包括高速访问时间（3.0ns），适用于高性能数据缓存和缓冲应用。该器件采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗，在待机模式下功耗更低，适用于高能效系统设计。该芯片支持异步操作，无需时钟信号，简化了系统设计并提高了灵活性。GS88236CD-300T还具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在工业级温度范围内可靠运行。此外，该芯片采用小型化封装（361-TBGA），节省PCB空间，适合高密度布局的电路设计。
　　在功能方面，GS88236CD-300T支持多种操作模式，包括读取、写入、保持和待机模式。写入操作可通过片选（CE）和写使能（WE）信号控制，确保数据的完整性和稳定性。该芯片的高数据宽度（36位）使其适用于需要高速数据传输和处理的应用场景，如高速缓存、帧缓冲和数据队列等。此外，该器件具有较高的数据保持能力，在断电情况下可通过外部电源或电容保持数据完整性。

GS88236CD-300T广泛应用于高性能通信和网络设备，如路由器、交换机、无线基站和服务器等。其高速访问能力和低延迟特性使其适用于需要快速数据缓存和处理的系统。此外，该芯片也可用于工业控制、测试设备和嵌入式系统中的高速存储和缓冲应用。由于其支持工业级温度范围和高可靠性，GS88236CD-300T也可用于恶劣环境下的关键系统设计。

AS7C3256A-3.3V, CY7C1513KV, IDT71V416SA