GS7113SO-R 是一款由 Giantec Semiconductor(巨积半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造,具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点,广泛应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池管理系统以及负载开关等电路中。该器件采用 SOP-8 封装形式,便于表面贴装,适合高密度电路设计。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):6.5A
最大漏源电压(VDS):30V
导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 2.5V
最大功耗(PD):4.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
GS7113SO-R 具备多项优异的电气和热性能,首先其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOS 工艺,使得其在低电压控制下仍能保持良好的导通性能。
其次,GS7113SO-R 支持较高的电流承载能力,在 6.5A 的漏极电流下仍能稳定工作,适用于中高功率应用场景。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 1.5V 至 2.5V),适用于多种控制 IC 的直接驱动,提升了设计的灵活性。
在封装方面,SOP-8 封装不仅减小了 PCB 空间占用,还优化了热管理性能,确保器件在高负载下仍能保持良好散热。该器件具有较高的热稳定性和抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行。
此外,GS7113SO-R 还具备出色的雪崩能量承受能力,提高了器件在突发电压或电流冲击下的可靠性,延长了使用寿命。
GS7113SO-R 广泛应用于多种电源管理领域。在同步整流 DC-DC 转换器中,该器件可用于高效降压或升压电路,提高整体转换效率。在电池管理系统中,GS7113SO-R 可作为负载开关或保护开关,用于控制电池充放电路径,防止过流或短路损坏系统。
在电机驱动和电源管理模块中,GS7113SO-R 可用于 H 桥结构,实现电机正反转控制或制动功能。此外,该器件还可用于 LED 驱动电路、电源多路复用器以及负载切换电路中,提供高效、稳定的开关性能。
由于其低导通电阻和高电流承载能力,GS7113SO-R 在便携式设备、工业控制系统、汽车电子系统以及通信设备中均有广泛应用。例如在笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备中作为电源开关,或在汽车 OBC(车载充电器)和 BMS(电池管理系统)中作为功率控制器件。
Si2302DS, AO4406A, FDS6680, BSS138