GS7113SO-R 时间：2025/7/22 17:23:07 阅读：8

GS7113SO-R 是一款由 Giantec Semiconductor（巨积半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，广泛应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池管理系统以及负载开关等电路中。该器件采用 SOP-8 封装形式，便于表面贴装，适合高密度电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.5A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：4.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

GS7113SO-R 具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOS 工艺，使得其在低电压控制下仍能保持良好的导通性能。
　　其次，GS7113SO-R 支持较高的电流承载能力，在 6.5A 的漏极电流下仍能稳定工作，适用于中高功率应用场景。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 1.5V 至 2.5V），适用于多种控制 IC 的直接驱动，提升了设计的灵活性。
　　在封装方面，SOP-8 封装不仅减小了 PCB 空间占用，还优化了热管理性能，确保器件在高负载下仍能保持良好散热。该器件具有较高的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。
　　此外，GS7113SO-R 还具备出色的雪崩能量承受能力，提高了器件在突发电压或电流冲击下的可靠性，延长了使用寿命。

应用

GS7113SO-R 广泛应用于多种电源管理领域。在同步整流 DC-DC 转换器中，该器件可用于高效降压或升压电路，提高整体转换效率。在电池管理系统中，GS7113SO-R 可作为负载开关或保护开关，用于控制电池充放电路径，防止过流或短路损坏系统。
　　在电机驱动和电源管理模块中，GS7113SO-R 可用于 H 桥结构，实现电机正反转控制或制动功能。此外，该器件还可用于 LED 驱动电路、电源多路复用器以及负载切换电路中，提供高效、稳定的开关性能。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，GS7113SO-R 在便携式设备、工业控制系统、汽车电子系统以及通信设备中均有广泛应用。例如在笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备中作为电源开关，或在汽车 OBC（车载充电器）和 BMS（电池管理系统）中作为功率控制器件。