GS71116TP-12 时间：2025/7/26 16:23:00 阅读：6

GS71116TP-12是一款高速、低功耗的16位静态随机存取存储器（SRAM），由Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）制造。该器件设计用于高性能计算系统、网络设备、工业控制系统和通信设备等需要高速数据存储和访问的应用。GS71116TP-12采用先进的CMOS工艺制造，提供高速访问时间和低功耗特性，适用于对速度和功耗均有要求的场合。

参数

容量：256Kbit（16k x 16）
　　电源电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：12ns（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）可选
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）或 PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）
　　输入/输出电压兼容性：TTL 和 CMOS 兼容
　　封装引脚数：52引脚或48引脚（视封装类型而定）
　　功耗：典型待机电流小于10mA，工作电流根据访问频率变化

特性

GS71116TP-12 的主要特性包括高速访问时间（12ns），适用于高速缓存和缓冲存储器应用；低功耗设计，支持待机模式以降低功耗；采用先进的CMOS工艺，提供高可靠性和稳定性；支持多种封装形式，便于在不同系统中使用；兼容TTL和CMOS电平，提高了与外部电路的接口兼容性。
　　此外，该SRAM具有全地址和数据总线控制，支持异步操作，适用于需要快速数据读写的应用场景。其工业级温度版本可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业自动化、通信基础设施和嵌入式系统等要求较高的应用场景。
　　该器件还具备良好的抗干扰能力和高噪声抑制性能，确保在高速操作下的数据完整性。其封装设计符合行业标准，便于PCB布局和自动化生产。

应用

GS71116TP-12 主要用于需要高速存储和低功耗特性的应用，如路由器和交换机中的缓存存储器、嵌入式系统的临时数据存储、工业控制器中的高速缓冲区、测试设备和测量仪器中的数据缓冲，以及消费类电子产品中的临时存储需求。此外，该SRAM还可用于图形处理器、数字信号处理器（DSP）和通信模块中的数据存储和处理。