GS6552-SR 是一款高性能的同步整流 MOSFET,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
GS6552-SR 属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于中高功率的应用场景,其封装形式通常为 TO-220 或 PDFN5x6-8L,便于散热设计和电路板布局优化。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:5.2A
导通电阻:1.4Ω
栅极电荷:27nC
开关时间:开启延迟时间 39ns,关断传播时间 102ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
GS6552-SR 的主要特性包括:
1. 高耐压能力(650V),适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(1.4Ω),可有效减少传导损耗。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗并提升效率。
4. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下保持正常工作。
5. 小型化封装设计,便于 PCB 布局与安装。
6. 提供良好的 ESD 保护功能,增强器件可靠性。
GS6552-SR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动及控制电路。
4. LED 驱动器和太阳能逆变器。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
该器件凭借其高效能表现,特别适合需要高效率、低发热的设计方案。
IRF650N
FQP50N06L
STP55NF06L