时间：2025/8/4 23:54:53
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GS6150-INTE3 是一款由GaN Systems公司生产的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，专为高频率和高效能的功率转换应用设计。该器件采用高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动技术，具备快速开关能力和低驱动损耗。GS6150-INTE3适用于各种电力电子应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动以及可再生能源系统。该器件采用紧凑的封装设计，便于集成到高密度功率模块中。
工作电压范围：10V至30V
最大输出电流：±5A
典型传播延迟：50ns
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：SOIC-16
输出类型：双通道、半桥驱动器
隔离电压：2500VRMS（1分钟）
GS6150-INTE3是一款专为高功率密度和高效率应用设计的高端驱动器，其核心特性包括低传播延迟、高输出驱动能力和出色的抗干扰性能。该器件内置欠压锁定（UVLO）保护功能，可在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件误操作。此外，GS6150-INTE3采用高绝缘耐压的封装技术，支持高达2500VRMS的隔离电压，确保系统在高电压环境下的安全运行。
GS6150-INTE3的双通道输出结构适用于驱动半桥拓扑中的高低侧GaN FET或SiC MOSFET，支持高达5MHz的开关频率，非常适合用于高频谐振转换器和LLC转换器。其推挽式输出结构可提供对称的上升和下降时间，减少开关损耗并提高系统效率。此外，该器件具有低静态电流和低功耗特性，在高工作温度下仍能保持稳定性能。
该驱动器还集成了去饱和检测（DESAT）功能，用于检测功率器件的过流或短路故障，并通过快速关断机制保护功率晶体管。同时，GS6150-INTE3支持宽输入电压范围（10V至30V），适用于多种电源架构，如12V母线供电系统、48V轻混系统等。其封装设计符合RoHS标准，适用于工业级和汽车级应用。
GS6150-INTE3广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中，如服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、储能系统、车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块以及电机驱动系统。其高频驱动能力和高隔离电压特性使其成为高频谐振转换器、LLC转换器和双向变换器的理想选择。
UCC21520DWPG4, Si8235BD-D-ISR, NCP51820DWG, ADuM4223-ADSD
