GS6042-INTE3是一款由Gaisler公司设计的抗辐射加固(Rad-Hard)高性能SPARC V8架构的32位微处理器,专为航天和高可靠性应用设计。该芯片基于LEON3 FT(容错)核心,具备单粒子翻转(SEU)防护能力,适用于卫星、航天器以及需要高可靠性和抗辐射能力的系统。GS6042-INTE3在片上集成了多个处理单元、内存控制器、外设接口等,提供高度集成的嵌入式解决方案。
架构:SPARC V8兼容LEON3 FT(容错)核心
制造工艺:CMOS抗辐射工艺
主频:最高可达100MHz
内存接口:支持SDRAM和SRAM控制器
缓存:16KB指令缓存+16KB数据缓存(可配置为奇偶校验或ECC)
I/O接口:包含UART、SPI、GPIO、定时器、中断控制器、CAN控制器等
封装:256引脚陶瓷封装
温度范围:-55°C至+125°C
抗辐射能力:SEU/SEL加固设计
电源电压:3.3V
GS6042-INTE3的核心特性在于其容错设计,LEON3 FT核心采用三模冗余(TMR)技术,对关键寄存器和逻辑模块进行冗余保护,显著提高了芯片的抗单粒子翻转能力。此外,该芯片的缓存系统支持ECC(纠错码)功能,可检测并纠正内存中的单比特错误,防止数据损坏。
GS6042-INTE3具备高度的集成性,片上集成了多个外设控制器,如双UART、双SPI、GPIO、定时器、中断控制器以及CAN总线接口,满足航天系统中复杂的通信与控制需求。其内存控制器支持SDRAM和静态存储器,允许构建灵活的存储系统。
该芯片采用标准的SPARC V8指令集,兼容广泛的软件开发工具链,便于使用Linux、RTOS等操作系统进行开发。其抗辐射加固设计确保其在空间辐射环境下具备高可靠性和稳定性,适用于低轨道卫星、深空探测器及航天器控制系统。
此外,GS6042-INTE3的封装采用256引脚陶瓷封装,具备良好的热稳定性和机械强度,适用于严苛的航天环境。其宽温度范围(-55°C至+125°C)也使其在极端温度条件下保持稳定运行。
GS6042-INTE3主要应用于航天电子系统,包括卫星控制系统、深空探测器、空间站模块、载人航天设备以及导弹制导系统等。此外,该芯片也可用于需要高可靠性和抗辐射能力的地面设备,如核能控制系统、高能粒子加速器控制模块、高空飞行器电子系统等。其高度集成的特性使其适用于需要紧凑型、高性能嵌入式系统的领域,如卫星姿态控制系统、遥测数据采集系统、空间实验仪器等。
LEON4-FT, RTAX200S, BAE RAD750