时间：2025/12/23 21:35:17
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GS6004-TR 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，采用增强型设计。该器件适用于高频开关应用，能够显著提高效率并减小系统尺寸。其封装形式为 LFPAK88，具有低热阻和低寄生电感的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、快充适配器等高效率电力电子设备。
由于 GaN 技术的特性，GS6004-TR 拥有更高的开关频率、更低的导通电阻以及更小的体积，相比传统的硅基 MOSFET 具备明显的优势。
型号：GS6004-TR
类型：GaN HEMT
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：130mΩ
Id（连续漏极电流）：4A
栅极驱动电压：6V/12V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：LFPAK88
GS6004-TR 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压：650V 的额定电压使其适合各种高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅为 130mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：得益于 GaN 技术，其开关速度远高于传统硅基器件，可实现 MHz 级别的开关频率。
4. 小型化封装：LFPAK88 封装不仅占用空间小，还具有优秀的散热性能。
5. 增强型设计：仅在正向栅极驱动电压下导通，使用更加安全可靠。
6. 宽广的工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃，适应多种极端环境条件。
GS6004-TR 广泛应用于需要高效率和高频工作的场景，具体应用领域包括：
1. 高效 DC-DC 转换器：
适用于服务器电源、通信设备电源等场合。
2. USB-PD 快充适配器：
凭借高开关频率和低损耗特点，能够显著减小充电器的体积。
3. 消费类电子产品：
如笔记本电脑适配器、无线充电器等。
4. 工业设备：
包括电机驱动、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等。
5. 汽车电子：
在车载充电器、LED 驱动等领域也有广泛应用。
GS66504B-TR
