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GS3471IBE3 发布时间 时间:2025/8/4 22:12:18 查看 阅读:18

GS3471IBE3 是一款由 Global Silicon(GS)公司设计的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效能的功率转换和管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和优异的热性能。GS3471IBE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种电源管理场景,包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等。其封装形式为工业标准的 SOP-8,便于在 PCB 上安装和散热管理。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):20V
  最大连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):7.1mΩ(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):30nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOP-8

特性

GS3471IBE3 具备多项优异特性,使其成为高性能电源转换应用中的理想选择。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率。对于需要高电流处理能力的应用,如 DC-DC 转换器和同步整流器,这种低电阻特性尤为重要,因为它减少了功率损耗和热量生成。
  其次,该器件支持高达 60A 的连续漏极电流,适用于高功率负载的应用场景。同时,其最大漏源电压为 30V,适用于中低压功率转换电路,如 12V、24V 系统等。
  此外,GS3471IBE3 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率下的效率表现。这一特性对于高频开关应用,如同步整流和电机控制非常关键。
  该器件采用 SOP-8 封装,具有良好的热管理性能,能够在高功率密度设计中保持稳定工作温度。SOP-8 封装也便于自动化生产和 PCB 布局,适合大批量应用。
  最后,GS3471IBE3 在宽温度范围内(-55°C 至 +150°C)都能保持稳定性能,适用于恶劣工作环境,如汽车电子、工业自动化和消费类电子产品。

应用

GS3471IBE3 主要应用于以下几个领域:
  1. **电源管理**:用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电路,提供高效、稳定的功率转换解决方案。
  2. **电机控制**:适用于直流电机驱动、H 桥电路和伺服控制,能够承受高电流和频繁的开关操作。
  3. **电池管理系统**:用于电池充放电控制、保护电路和电源切换,提供低损耗的开关性能。
  4. **工业自动化**:适用于 PLC 控制模块、传感器电源管理和继电器替代方案。
  5. **消费类电子产品**:用于笔记本电脑、平板电脑、电源适配器和智能家电中的电源管理模块。
  6. **汽车电子**:用于车载充电系统、LED 照明控制、电动助力转向系统等应用,满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。

替代型号

SiR178DP-T1-GE、FDMS86101、BSC090N03MS、NTMFS4C06N、FDMS86180

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