类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7.3A
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：25mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

GS3037具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式工艺技术，使得在保持高性能的同时，具备优异的热稳定性和可靠性。
　　此外，GS3037的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动，适用于多种类型的MOSFET驱动器和控制器。这种灵活性使得GS3037能够适应不同的应用环境，包括低压电源转换和高效率负载开关。
　　在封装方面，GS3037采用SOP-8封装，具有良好的散热性能，并且适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和小型化设计。该封装形式还支持较高的功率密度，适用于空间受限的设计。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提高了在高应力环境下的稳定性。适用于各种工业控制设备、电源模块、便携式电子产品以及汽车电子系统等对可靠性要求较高的应用场景。

GS3037常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各种高效率电源模块中。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于要求高效率和小尺寸设计的电源管理系统。在工业自动化、消费类电子产品以及车载设备中也得到了广泛应用。

Si2302DS, AO3400A, IRF7409, BSS138K