GS2004HE 时间：2025/8/15 6:03:28 阅读：10

GS2004HE 是一款由 Giantec Semiconductor（巨微半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低导通损耗和快速开关性能而设计，适用于多种电源管理和功率转换应用，如 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关、电机驱动等。GS2004HE 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：4.4A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 46mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 60mΩ @ Vgs=4.5V
　　最大功率耗散：1.25W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：SOP-8

特性

GS2004HE 的核心优势在于其出色的导通性能与快速的开关特性。其低导通电阻 Rds(on) 可显著降低功率损耗，提高系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大为 46mΩ，而在较低的 Vgs=4.5V 驱动电压下，Rds(on) 也仅上升至 60mΩ，这使得该器件在低压驱动电路中依然具备良好的性能表现。此外，GS2004HE 具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场景。该器件的 SOP-8 封装形式便于在 PCB 上布局安装，同时具备良好的散热能力。

应用

GS2004HE 广泛应用于各种功率电子系统中，例如：
　　? 同步整流 DC-DC 转换器
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 负载开关与电源管理模块
　　? 电机驱动与马达控制电路
　　? 汽车电子中的电源模块
　　? 工业自动化与控制设备
　　该器件的高效率和稳定性能使其成为中功率电源转换和控制应用的理想选择。