GS1KWZ 时间：2025/8/15 3:11:00 阅读：26

GS1KWZ 是一款由 Global Silicon Power（GSP）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高效率的电力电子应用。该器件采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。GS1KWZ 属于N沟道增强型MOSFET，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A
　　导通电阻(Rds(on))：≤1.75mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散(Pd)：250W
　　栅极电荷(Qg)：280nC
　　输入电容(Ciss)：4400pF

特性

GS1KWZ 具有多个优异的电气和热特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具备高电流承载能力，连续漏极电流可达160A，适合高功率密度设计。
　　此外，GS1KWZ 采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。其高耐压能力（100V）使其适用于各种电源转换应用，包括同步整流、Buck/Boost转换器和电机驱动电路。
　　该器件的栅极电荷较低（Qg为280nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而减小外围元件的尺寸和成本。输入电容较大（4400pF），在高频应用中需注意驱动电路的设计。
　　GS1KWZ 的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于严苛环境下的工业和汽车应用。同时，其栅源电压容限为±20V，提供了更高的操作灵活性和保护能力。

应用

GS1KWZ 主要应用于需要高功率、高效率和高可靠性的电子系统中。常见用途包括DC-DC转换器、服务器电源、工业电机控制、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS系统。此外，它还可用于高功率LED照明驱动电路、电动工具和电动车控制器等领域。
　　由于其优异的导通特性和热性能，GS1KWZ 非常适合用于同步整流拓扑结构中的高边和低边开关。在服务器和通信电源中，该器件可作为主功率开关，帮助实现高效率和紧凑设计。
　　在电机控制应用中，GS1KWZ 可用于H桥驱动电路，提供高效的双向电流控制。其高电流能力和低导通损耗使其成为高性能电机驱动器的理想选择。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，GS1KWZ 可用于功率因数校正（PFC）电路和DC-AC逆变器模块，提升整体系统效率。