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GS1A 发布时间 时间:2025/7/10 1:45:07 查看 阅读:7

GS1A是一款基于硅工艺设计的高性能肖特基二极管,广泛应用于高频整流、开关电源及逆变器等领域。该器件具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  肖特基二极管因其独特的金属-半导体结结构,在高频应用中表现出色,同时其低功耗特性使其成为现代电子设备中的关键元件。

参数

最大正向电流:5A
  峰值反向电压:60V
  正向压降:0.45V
  反向恢复时间:2ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

GS1A采用肖特基势垒技术,具备较低的正向压降,从而减少了功率损耗。
  其快速的反向恢复时间使其非常适合高频开关应用,例如开关电源和DC-DC转换器。
  此外,该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  与传统PN结二极管相比,GS1A在高频下的表现更加优越,同时避免了少数载流子存储效应带来的延迟问题。

应用

GS1A主要应用于开关电源、太阳能逆变器、电机驱动电路、DC-DC转换器以及各类高频整流电路。
  在消费电子领域,它常被用于笔记本适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理部分。
  工业应用方面,GS1A可用于不间断电源(UPS)系统、LED驱动电路和各种电力电子变换装置。

替代型号

GBU5B
  SS14
  1N5822

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GS1A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格5,000 : ¥0.21659卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)50 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)2.5 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 50 V
  • 不同?Vr、F 时电容15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装SMA(DO-214AC)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C