类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：120V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：90A（Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：100W
　　导通电阻(Rds(on))：最大9.0mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

GS12090-INTE3Z具有多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大Rds(on)为9.0mΩ，在Vgs=10V条件下可确保高效能操作。
　　其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压额定值为120V，适用于中高压电源转换应用。栅源电压容限为±20V，确保在各种工作条件下器件的稳定性与可靠性。
　　此外，GS12090-INTE3Z支持高达90A的连续漏极电流（在Tc=25℃条件下），能够处理高功率负载，适用于大电流开关和电机控制等应用场景。其最大功耗为100W，结合TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，适用于紧凑型设计。
　　该器件还具备快速开关特性，减少开关损耗，并支持高频操作，适用于开关电源（SMPS）、同步整流、电池管理系统等应用。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于工业和车载等严苛环境。

GS12090-INTE3Z广泛应用于各类功率电子系统中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换和管理的理想选择。
　　在开关电源中，该MOSFET可用作主开关或同步整流器，提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，GS12090-INTE3Z可实现高频率操作，减小外部元件尺寸并提高系统功率密度。
　　在电机控制和负载开关应用中，该器件能够承受较大的瞬态电流，并具备良好的热稳定性，确保系统可靠运行。此外，GS12090-INTE3Z还可用于工业自动化设备、电动车控制系统、储能系统和光伏逆变器等高功率应用场景。

SiR120DP-T1-GE3, FDP120N10A, STP90NF12